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電磁屏蔽室運(yùn)行整體結(jié)構(gòu)和電磁屏蔽室運(yùn)行原理

電磁屏蔽室運(yùn)行整體結(jié)構(gòu)和電磁屏蔽室運(yùn)行原理
電磁屏蔽室運(yùn)行整體結(jié)構(gòu)和電磁屏蔽室運(yùn)行原理
電磁屏蔽室運(yùn)行整體結(jié)構(gòu)和電磁屏蔽室運(yùn)行原理
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編輯時(shí)間 : 2024-11-20

電磁屏蔽室運(yùn)行整體結(jié)構(gòu)和電磁屏蔽室運(yùn)行原理


電磁屏蔽室是利用導(dǎo)電或者導(dǎo)磁材料制成的各種形狀的屏蔽體,將電磁能力在一定空間范圍內(nèi),用于抑制輻射干擾的金屬體。并對(duì)傳導(dǎo)和輻射進(jìn)行處理,以實(shí)現(xiàn)給被測(cè)無(wú)線通訊設(shè)備提供無(wú)干擾的測(cè)試環(huán)境的設(shè)備。


電磁屏蔽室


先從屏蔽的基礎(chǔ)說(shuō)起,一般認(rèn)為交變電壓源近場(chǎng)為高阻抗場(chǎng),主要分量為電場(chǎng);而交變電流源近場(chǎng)為低阻抗場(chǎng),主要分量為磁場(chǎng)。分析電磁場(chǎng)近場(chǎng)特性對(duì)屏蔽設(shè)計(jì)十分重要,對(duì)于高阻抗場(chǎng),由于波阻抗大,主要是依靠反射損耗增加屏蔽效能;而對(duì)于低阻抗場(chǎng),由于波阻抗十分小,反射損耗已經(jīng)可以忽略,主要是依靠吸收損耗增加屏蔽效能。


一是借助電路理論中的電磁感應(yīng)原理


交變電磁場(chǎng)通過金屬材料表面時(shí),金屬材料會(huì)由于感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)而形成渦流。這個(gè)渦流所產(chǎn)生的磁場(chǎng),正好與原來(lái)的磁場(chǎng)方向相反,從而抵消了部分原來(lái)的磁場(chǎng),起到屏蔽作用。另外,由于金屬材料具有一定的電阻,渦流在金屬材料內(nèi)部產(chǎn)生熱消耗了部分入射電磁波的能力,同樣也起到了屏蔽的作用。


電磁屏蔽室


二是根據(jù)電磁場(chǎng)理論


電磁波在不同傳播媒質(zhì)的界面,由于波阻抗的突變,電磁波會(huì)發(fā)生反射。另外,在傳輸媒質(zhì)中,例如金屬材料內(nèi)部,電磁波會(huì)發(fā)生衰減。這種反射和衰減作用正好就說(shuō)明金屬材料的屏蔽機(jī)理。


三是根據(jù)傳輸線理論


電磁波在有損耗的非均勻傳輸線中,由于傳輸線的阻抗與電磁波的阻抗不匹配,電磁波會(huì)發(fā)生反射現(xiàn)象,加上傳輸線是有損耗的,電磁波在傳輸過程中會(huì)發(fā)生衰減。這與電磁波理論分析中的反射和衰減十分類似,但是這種方法會(huì)比電磁波的分析方法更加簡(jiǎn)便得多,也是目前電磁屏蔽分析中應(yīng)用方法。


電磁屏蔽室


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